NEO 半导体宣布将推出全球首款 3D DRAM 原型,解决 DRAM 容量瓶颈。
3D DRAM 用到的是 3D X-DRAM 技术,原理与 3D NAND Flash 类似,通过堆叠层数提高容量。
【资料图】
NEO 承诺 2025 年将推出第一代 3D X-DRAM 产品,首代产品就有 230 层堆叠,核心容量 128GB。
更夸张的是,到 2035 年,NEO 将推出 1TB 容量的 3D X-DRAM,较现在 DRAM 容量提升达 64 倍。
NEO 表示,未来内存大小不仅可以从 TB 为单位起步,甚至能追上 3D NAND Flash 的发展。
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